隨著5G技術、人工智能、物聯網、大數據的快速發展及其在無人系統、高速通信、工業互聯網、未來能源、航空航天等領域的廣泛應用，信息技術的發展水平已經成為綜合國力的體現。然而，電子設備在運行過程中會對外界產生不利的電磁干擾(EMI)，不僅會影響附近電子設備的正常運行，還會增加相關工作人員患頭痛、抑郁、免疫缺陷等疾病的風險。因此，迫切需要的EMI屏蔽材料來衰減電磁波，以保護電子設備的正常運行和人體健康。在此背景下，開發各種高性能的電磁屏蔽材料成為研究熱點。下面將介紹常見EMI屏蔽材料的優缺點:
　　1.傳統的金屬材料(如銀、銅、鐵、鎳等。以及它們的合金)經常被用作EMI屏蔽材料，這些材料通常包括高導電金屬，例如鋁箔和銅箔，其中表面反射是主要的損耗機制。然而，金屬的密度高、易腐蝕、柔韌性差，難以滿足理想EMI屏蔽材料的要求，限制了其在小型智能電子產品中的廣泛應用。即重量輕、屏蔽效率高、帶寬寬、耐腐蝕性好成為EMI屏蔽材料的研究方向。
　　2.導電聚合物復合材料(CPC)因其重量輕、機械柔性高、耐腐蝕性能好、加工成本低而成為替代傳統金屬屏蔽材料的Z佳解決方案之一。此外，與金屬基屏蔽材料相比，CPC表現出低表面反射，在偽裝和隱身技術等軍事應用中更受歡迎。導電聚合物復合材料是指在聚合物基體中加入導電填料，通過一些特定的加工工藝得到的具有EMI屏蔽性能的多相復合材料。CPC中常用的導電填料主要有金屬材料、本征導電材料和碳材料。其中，碳材料具有重量輕、同素異形體多、力學性能好等特點，在CPC中得到了廣泛的應用。
　　不幸的是，由于CPC的低導電性，CPC的EMI屏蔽效率(SE)通常低于金屬材料。為了實現CPC的高性能EMI屏蔽，需要大量的導電填料來形成足夠的屏蔽網絡。高含量的導電填料通常導致機械性能下降、成本增加和加工困難。此外，導電聚合物復合材料的缺點，如力學性能和熱穩定性差，限制了其進一步應用。
　　材料的屏蔽能力取決于電磁波的反射和吸收(EMW)。隨著屏蔽材料的不斷發展，研究已經從金屬材料和本征導電聚合物發展到CPC。事實證明，導電網絡的建設與微波衰減能力密切相關。所以CPC的EMI屏蔽從宏觀上看取決于填料的選擇和結構設計。一般來說，導電填料可分為金屬填料、碳填料和本征導電聚合物。金屬填料(銀、銅、鎳、鑭、二甲苯等。)可以給予CPC有效的EMI屏蔽材料，因為它們具有高的導電性。

　　但由于價格高、密度大、不穩定，在實際應用中仍有局限性。碳填料(碳納米管、炭黑、鍺、CNF等)。)因其高導電性而成為Z廣泛使用的填料之一。固有導電聚合物(PANI、PEDOT等。)也可用作CPC的導電填料，用于EMI屏蔽。此外，導電填料的尺寸對CPC的EMI屏蔽也很重要。一般來說，二維填料在零維、一維和二維填料中表現出Z好的EMI屏蔽性能。
　　3.聚合物基復合材料因其密度低、耐腐蝕、價格有競爭力和良好的加工性能而廣泛應用于電磁屏蔽領域。然而，大多數聚合物基體具有絕緣性，這嚴重限制了其在電子產品、新能源汽車、醫療設備和柔性印刷電路板等對EMI屏蔽要求高的領域的應用。目前，研究人員通過將導電填料與樹脂基體復合，有效解決了聚合物基復合材料EMI屏蔽性能差的問題。與此同時，碳納米管、石墨烯、金屬納米線/顆粒和MXene已被廣泛用作聚合物基復合材料中的導電填料。
　　然而，與金屬材料相比，目前的聚合物基復合材料存在一些缺點，如電導率低、EMI屏蔽性能差。如何通過有效的結構設計來提高聚合物基復合材料的電磁屏蔽性能，已經成為一個亟待解決的技術和科學問題。除了導電填料的用量和種類對聚合物基復合材料的EMI屏蔽性能有顯著影響外，復合材料的結構設計和導電填料在樹脂基體中的分布取向也同樣重要。迄今為止，對不同結構類型的聚合物基電磁屏蔽復合材料的研究很少。
　　4.碳材料，如石墨烯、碳納米管(CNT)、介孔碳和碳納米纖維(CNF)，由于其許多特性，包括天然豐富、低成本、優異的導電性和優異的機械性能，具有作為ESM的巨大潛力。
　　5.與碳材料相比，二維層狀過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物(MXenes)具有突出的σ、突出的親水性和化學活性，相關研究發展非常迅速。三維(3D)結構中重復反射和散射的復雜界面提供了更長的導電路徑，從而更好地屏蔽電磁波。然而，由于MXenes之間的相互作用較弱，凝膠化能力較差，很難通過MXenes的自組裝構建出力學性能優異的獨立三維結構。當用于EMI屏蔽時，MXenes通常應用于具有優異機械承載性能的聚合物基體。